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      2024年浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心-先進半導(dǎo)體研究院功率芯片研究室-博士后-高校教師招聘簡章

      發(fā)布時間:2023-12-08 16:23:37 瀏覽:0

      一、課題組簡介:

      功率芯片研究室是以浙大電氣工程學(xué)院盛況教授團隊為核心成立的,是國內(nèi)高校中較早開展寬禁帶半導(dǎo)體功率芯片研究的團隊之一,研究方向包括碳化硅功率芯片、超寬禁帶半導(dǎo)體功率芯片、先進散熱、封裝與應(yīng)用等,碳化硅功率芯片小組負責(zé)人為浙大電氣工程學(xué)院任娜研究員。2020年研究室建設(shè)完成一條國際先進的6吋碳化硅功率芯片專用工藝線,承擔(dān)了碳化硅功率芯片領(lǐng)域的多個國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金、浙江省重點研發(fā)計劃項目,并與企業(yè)成立了碳化硅功率器件技術(shù)聯(lián)合實驗室。

      盛況教授,國家杰出青年基金獲得者,浙江大學(xué)求是特聘教授,博士生導(dǎo)師現(xiàn)任浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長,浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院院長。盛教授長期從事硅和寬禁帶半導(dǎo)體功率芯片、封裝及應(yīng)用研究,包括芯片設(shè)計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機、各類電源等領(lǐng)域中的應(yīng)用,2009年回國創(chuàng)建浙江大學(xué)電力電子器件實驗室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是國內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團隊。

      任娜研究員,浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘研究員、博士生導(dǎo)師,浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心雙聘學(xué)者、青年卓越人才計劃入選者,長期從事碳化硅功率器件的相關(guān)研究,包括器件結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝制造、芯片研制、抗輻射可靠性加固等方向。在器件領(lǐng)域國際知名期刊與會議上共發(fā)表70余篇論文,擁有20余項碳化硅功率器件領(lǐng)域的發(fā)明專利,并獲得首屆浙江省知識產(chǎn)權(quán)獎三等獎。

      二、研究方向:

      1.碳化硅MOSFET器件:碳化硅平面柵MOSFET、碳化硅溝槽柵MOSFET、關(guān)鍵工藝制造技術(shù)、大電流芯片研制技術(shù);

      2.新型碳化硅功率器件:碳化硅浮空結(jié)/超級結(jié)器件、碳化硅功率集成器件、高壓大功率碳化硅器件;

      3.碳化硅功率器件輻射效應(yīng)與抗輻射加固:碳化硅功率器件輻射效應(yīng)機理、抗輻射加固結(jié)構(gòu)設(shè)計與工藝制造方法。

      三、博士后招聘條件及要求:

      1.具有微電子、電氣、信電、光電、材料等相關(guān)專業(yè)研究背景。

      2.近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位或入職前可以獲得博士學(xué)位,以第一作者發(fā)表過SCI文章。

      3.對科研工作有濃厚的興趣,有較強科研素養(yǎng)和英文讀寫能力。

      4.具備較強的獨立科研能力、良好的敬業(yè)精神和團隊合作精神。

      5.年齡在35周歲及以下,身心健康,可全職從事博士后研究工作。

      四、職業(yè)發(fā)展與薪酬待遇:

      1.具體面議,同時可享受地方政府免稅人才補助15萬元/年(外籍人才可享受17.5萬元/年。);應(yīng)屆博士畢業(yè)生,符合條件者可額外享受10萬元杭州市應(yīng)屆生人才補貼。

      2.提供一流的實驗與科學(xué)研究條件,共享浙江大學(xué)頂尖學(xué)術(shù)生態(tài)體系。

      3.提供專項科研經(jīng)費支持;對獲得中國博士后科學(xué)基金資助和省級博士后科研項目資助的,分別給予相應(yīng)配套資助和獎勵;對生源優(yōu)秀或取得標志成果的博士后,給予額外獎勵(相關(guān)獎勵可疊加)。

      4.符合條件的,可申報博士后海外引才專項,享受三年生活補助和安家費相關(guān)政策。

      5.表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者,如符合相應(yīng)要求,可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心青年人才、技術(shù)研發(fā)等崗位。

      6.在站期間,符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務(wù);出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱,并可獲得地方政府80萬人才補貼。

      7.出站后留杭或蕭山工作的,可申請杭州市D類人才或蕭山區(qū)政府相應(yīng)人才政策。

      8.符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策。

      9.協(xié)助解決子女教育入學(xué)、辦理落戶、政府人才配套用房申請、人才項目申報、人才認定等。

      10.提供一流的科研條件和博士后聯(lián)誼會交流平臺,享受園區(qū)一站式保障服務(wù),如食堂、健身房、體育館等。

      五、應(yīng)聘方式:

      1.提供詳細的個人簡歷,以及表明研究能力和學(xué)術(shù)水平的成果(如:學(xué)術(shù)論文、項目、獲獎情況等)及佐證材料。

      2.應(yīng)聘者請將材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱:hic@zju.edu.cn,或先進半導(dǎo)體研究院郵箱:ldl1125@zju.edu.cn,附件和郵件主題均以“功率芯片研究室+博士后+姓名+高校人才網(wǎng)”標明。【快捷投遞:點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”,即刻進行職位報名】

      應(yīng)聘者的申請材料將嚴格保密,初審?fù)ㄟ^者將安排面試。

      事業(yè)單位招聘信息標簽:浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心-先進半導(dǎo)體研究院功率芯片研究室-博士后-高校教師招聘 浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心-先進半導(dǎo)體研究院功率芯片研究室-博士后-教師招聘 浙江